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丰台区150度高温晶体厂网址 (多图)

2025-04-18 08:09:32

石油测井150度-175度高温晶振

北京启尔特科技有限公司生产的150度-175度高温晶振,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高150度高温晶体,年老化率低150度高温晶振,温漂小,是目前国内能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位。

晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定单频振荡。在通常工作条件下,普通的晶振频率精度可达百万分之五十。高温级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为压控振荡器(VCO)。

晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步。

原装175度高温晶振

北京启尔特科技推出QET系列耐高温晶振200度晶振,高温晶振175度。广泛用于石油测井,船舶制造、航空航天领域。打破了美国Q-Tech公司的技术垄断优势.经广大客户使用鉴定,产品性能非常稳定,老化率低,生产周期通常为2周左右,并且可以根据客户需求定制。如下是常用型号,32.768KHZ,4MHZ,4.9152MHZ,8MHZ等等,公司备有大量现货。欢迎来电洽谈。

无源晶振为Crystal(晶体)。

其必须借助外部的有源激励和振荡电路才能起振,振荡频率主要取决于晶体的切割方式,外部振荡电路也部分影响着振荡频率的精度。振荡电路中包含两个Trim电容,由于电容的精度一般比较低,因此即便是完全相同的电路图,振荡频率的频偏也可能存在一定的差别。

 175度高温测井晶振

北京启尔特科技新到一批175度高温晶振,产品性能非常稳定,老化率低,生产周期通常为2周左右,欢迎广大石油测井单位用户及航天单位来电咨询,提供具体参数要求,我司有专门的工程师提供选项参考。

普通封装晶体振荡器(SPXO)

它无温度补偿功能,也无电压控制功能,其频率特性完全取决于晶体以及外部振荡电路。标准频率为1~100MHz,频率精度可达±10ppm。由于SPXO不包含任何频率补偿功能,因此是晶振中精度差的一个种类,价格低廉,通常作为微处理器的时钟器件。在PCB布局时,SPXO器件应远离发热源。

高温175度晶振

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高150度高温晶体,年老化率低150度高温晶振,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;RC(电阻、电容)振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置,适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC 振荡器。  基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC 振荡器能够快速启动,成本也比较低.

150度晶体谐振器

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高150度高温晶体,年老化率低150度高温晶振,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

总体来说晶振的稳定度等方面好于晶体,尤其是精密测量等领域,绝大多数用的都是高等级的晶振,这样就可以把各种补偿技术集成在一起,减少了设计的复杂性。试想,如果采用晶体,然后自己设计波形、抗干扰、温度补偿,那样的话设计的复杂性将是什么样的呢?我们这里设计射频电路等对时钟要求高的场合,就是采用精度温补晶振的,工业级的要好几百元一个。

175度高温晶体谐振器

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高150度高温晶体,年老化率低150度高温晶振,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

减少谐波,有源晶体输出的是方波,这将引起谐波干扰,尤其是阻抗严重不匹配的情况下,加上电阻后,该电阻将与输入电容构成RC积分平滑电路,将方波转换为近似正弦波,虽然信号的完整性受到一定影响,但由于该信号还要经过后级放大、才作为时钟信号,因此,性能并不受影响,该电阻的大小需要根据输入端的阻抗、输入等效电容,有源晶体的输出阻抗等因素选择。

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