海淀区200度高温晶振单价_150度高温晶振图片__200度高温晶振电话

2025-04-22 08:09:32

175度高温晶体振荡器

175度高温晶体振荡器,可以根据客户需求做成三种封装,贴片5*7,全尺寸四角直插,半尺寸封装。

我司主营石油测井高温电子元件150度高温晶振,旗下自主研发的JFY-175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量可靠,常用频率和特殊频率都有,如8MHZ,24.576MHZ,32.768MHZ,16.384MHZ,3.579545MHZ,4.9152MHZ等。是目前国内能做到175度高温晶振晶体的厂家,我司还供应150度高温单片机,150度以上高温存储器,150度以上高温电容电阻等,如有需要,欢迎来电!

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值。比如,HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时,相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容,整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。相比之下,晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器,如MAX7375,工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素:精度、成本、功耗以及环境需求。

测井150度高温晶体

我司供应如下高温产品:

150度175度高温晶振,150度高温单片机,150度175度200度以上高温电容,155度175度200度以上高温电阻,165度200度高温电感,150度175度高温存储器,150度175度200度高温AD,150度175度210度高温运放,200度压力传感器,23芯高温连接器,各种集成电路等。

地层倾角测井编辑测量地层的倾角与方位角,能够确定真实的地层倾角和方位的变化。可用于研究构造变化,确定断层、不整合、交错层、砂坝、岩礁,以及研究地质沉积环境等。此外,地层倾角测井还可以探测井壁附近地层裂缝带,确定裂缝走向和方位,通常又称为裂缝识别测井。

高温175度测井晶振

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高,年老化率低,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上。

如常用普通晶振标称频率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上,也有的没有标称频率,如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。

200度高温晶振

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,200度高温晶振,常用的封装有贴片5X7和HC49S封装。经过168小时高温测试,质量好,可靠性高,年老化率低,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

有源晶振型号纵多,而且每一种型号的引脚定义都有所不同,接法也不同,下面介绍一下有源晶振引脚识别:

有点标记的为1脚,按逆时针(管脚向下)分别为2、3、4。

有源晶振通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。

低温漂200度晶振

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高,年老化率低,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

晶振不起振问题归纳1、物料参数选型错误导致晶振不起振

例如:某MCU需要匹配6PF的32.768KHz,结果选用12.5PF的,导致不起振。

解决办法:更换符合要求的规格型号。必要时请与MCU原厂或者我们确认。

2、内部水晶片或损坏导致不起振

运输过程中损坏、或者使用过程中跌落、撞击等因素造成晶振内部水晶片损坏,从而导致晶振不起振。

解决办法:更换好的晶振。平时需要注意的是:运输过程中要用泡沫包厚一些,避免中途损坏;制程过程中避免跌落、重压、撞击等,一旦有以上情况发生禁止再使用。

3、振荡电路不匹配导致晶振不起振

影响振荡电路的三个指标:频率误差、负性阻抗、激励电平。

频率误差太大,导致实际频率偏移标称频率从而引起晶振不起振。

解决办法:选择合适的PPM值的产品。

负性阻抗过大太小都会导致晶振不起振。

解决办法:负性阻抗过大,可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调大来降低负性阻抗;负性阻抗太小,则可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调小来增大负性阻抗。一般而言,负性阻抗值应满足不少于晶振标称阻抗3-5倍。

激励电平过大或者过小也将会导致晶振不起振

解决办法:通过调整电路中的Rd的大小来调节振荡电路对晶振输出的激励电平。一般而言,激励电平越小越好,处理功耗低之外,还跟振荡电路的稳定性和晶振的使用寿命有关。

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