供应:150度高温晶体报价【供应商,生产厂图片】

2025-05-14 08:09:48

测井175度高温晶振

测井,也叫地球物理测井或矿场地球物理,简称测井,是利用岩层的电化学特性、导电特性、声学特性、性等地球物理特性,测量地球物理参数的方法,属于应用地球物理方法(包括重、磁、电、震、核)之一。石油钻井时,在钻到设计井深深度后都必须进行测井150度高温晶体,又称完井电测,以获得各种石油地质及工程技术资料,作为完井和开发油田的原始资料。这种测井习惯上称为裸眼测井。而在油井下完套管后所进行的二系列测井,习惯上称为生产测井或开发测井。其发展大体经历了模拟测井、数字测井、数控测井、成像测井四个阶段。

北京启尔特石油研发的测井175度高温晶振,广泛应用于电缆测井及随钻测井领域,在国内外各大油田测井用户广泛使用,备受好评。如果感兴趣的客户,欢迎致电。

高温175度晶振

北京启尔特石油供应自主研发的QET品牌的150度-175度高温晶振,适用于石油测井,航天航空,船舶制造等领域,经广大科研院所使用测试,稳定性好,抗震能力强,封装有JU38、HC49S、HC49SU、SMD57、全尺寸、半尺寸等,常用频率和特殊频率的高温晶振晶体我司均备有大量现货。

高温晶振,不仅工作温度是非常宽范围内的,而且他的焊接温度也非常的高。在日常应用中,无铅的焊接一般是240度或260度,峰值不能够超过三秒(指波峰焊接),而且衡温烙铁的焊接温度360度左右。这就要求高温晶振里面焊点的接点非常的固牢,而且焊点所用的材料也和一般的焊接材料不一样,他的熔点必须高于衡温烙铁或波峰焊接,否则这样的晶振就会出现晶振不起振或坏死的情况,或电阻偏大振荡不稳定的情况。

我司长期主营石油测井类高温电子元件,主营以下高温产品:

150度高温陶瓷电容,175度高温陶瓷/钽电容,200度高温高压电容

150度高温贴片电阻,175度高温金属膜电阻,200度高温线绕电阻

150度高温共模电感,165度高温贴片电感,200度高温功率电感

150度PIC单片机,150度AVR单片机

125度Flash存储器,150度存储器,175度FLASH存储器

150度高温晶振晶体,175度高温晶振晶体等

凡是石油测井上需要的高温电子元器件,我司大部分都有。

175度高温晶振SMD5*7封装

北京启尔特石油供应175度高温晶振,常用封装有SMD5*7,HC49S,HC14DY等等封装。常用频率有32.768KHZ,2MHZ,4MHZ,4.9152MHZ,5MHZ,6MHZ,8MHZ,8.9152MHZ,20MHZ,40MHZ等等。可以依据客户的具体需求,定制具体尺寸及频率。欢迎来电咨询。

晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号,可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。

测井150度高温晶振

地球物理测井通常指地球物理测井。把利用电、磁、声、热、核等物理原理制造的各种测井仪器,由测井电缆下入井内,使地面电测仪可沿着井筒连续记录随深度变化的各种参数。通过表示这类参数的曲线,来识别地下的岩层,如油、气、水层、煤层、金属矿床等。

北京启尔特石油科技有限公司供应测井150度高温晶振,性能稳定,封装齐全,各种频率均备有现货,欢迎测井用户来电咨询。

测井175度贴片高温晶振

北京启尔特科技新到一批175度高温晶振,产品性能非常稳定,老化率低,生产周期通常为2周左右,欢迎广大石油测井单位用户来电咨询,提供具体参数要求,我司有专门的工程师提供选项参考。

VCXO是通过外部施加控制电压时振荡频率可调的晶体振荡器。它的特点:输出频率可以通过输入电压控制,一般控制范围为±50~±200ppm。工作原理:通过改变外加调整电压的大小,能改变容性负载CL的值,从而实现频率的调整。由于VCXO的具有振荡频率可调整的特点,所以用频率—温度稳定度来定义环境温度变化对频偏的影响。由于VCXO不具备温度补偿功能,因此在PCB布局时,VCXO器件应远离发热源。VCXO除了电源电源外,还需要控制电压,以调整输出频率,当控制电压调整为中央电压时,VCXO输出标称的基准频率。VCXO常用在锁相环电路中。

低温漂200度晶振

北京启尔特石油科技主营石油测井高温电子元件,150度-300度各个温度档元器件齐全,旗下自主研发的150度、175度晶振晶体,经过168小时高温测试,质量好,可靠性高,年老化率低,温漂小,是目前国内唯能做到175度高温晶振晶体的厂家,客户覆盖率广,如国内各大油田旗下测井公司,中国电子科技集团,航天科工等单位,感兴趣的用户,欢迎致电咨询。

晶振不起振问题归纳1、物料参数选型错误导致晶振不起振

例如:某MCU需要匹配6PF的32.768KHz,结果选用12.5PF的,导致不起振。

解决办法:更换符合要求的规格型号。必要时请与MCU原厂或者我们确认。

2、内部水晶片或损坏导致不起振

运输过程中损坏、或者使用过程中跌落、撞击等因素造成晶振内部水晶片损坏,从而导致晶振不起振。

解决办法:更换好的晶振。平时需要注意的是:运输过程中要用泡沫包厚一些,避免中途损坏;制程过程中避免跌落、重压、撞击等,一旦有以上情况发生禁止再使用。

3、振荡电路不匹配导致晶振不起振

影响振荡电路的三个指标:频率误差、负性阻抗、激励电平。

频率误差太大,导致实际频率偏移标称频率从而引起晶振不起振。

解决办法:选择合适的PPM值的产品。

负性阻抗过大太小都会导致晶振不起振。

解决办法:负性阻抗过大,可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调大来降低负性阻抗;负性阻抗太小,则可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调小来增大负性阻抗。一般而言,负性阻抗值应满足不少于晶振标称阻抗3-5倍。

激励电平过大或者过小也将会导致晶振不起振

解决办法:通过调整电路中的Rd的大小来调节振荡电路对晶振输出的激励电平。一般而言,激励电平越小越好,处理功耗低之外,还跟振荡电路的稳定性和晶振的使用寿命有关。

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